● 合金材料，高饱和电流，低DCR
● 闭合磁路设计，漏磁干扰小
● 无卤，符合RoHS标准
● 采用屏蔽式结构设计
● 能有效应对高瞬态电流冲击而不发生饱和现象
● 封装外壳提供更优的环境防护与防潮性能
● 耐腐蚀封装结构
● 高饱和电流，低损耗，低DCR
● 低噪声，磁屏蔽效果好
● 寄生电容小
● 大电流、低损耗用金属材料
● 通过金属粉尘芯实现高性能（Isat）
● 通过低Rdc实现低损耗
● 闭合磁路设计可减少漏磁通
● 乙烯基热喷涂，表面致密性更好
